9:00 AM - 9:15 AM
△ [19a-C302-1] Intracollisional Field Effect of Polar Optical Phonon Scattering in GaN
Keywords:intracollisional field effect, GaN, polar optical phonon scattering
SiC, GaN などの広い禁止帯(WBG) を持つ半導体では,絶縁破壊電界が数MV/cm と高く,パワーデバイス応用に向けて,Si に代わる半導体材料として注目されている.数MV/cm程度の印加電界のもとでは,散乱中に電子が加速される,散乱内電界効果(ICFE)が重要な役割を演じると予想される.本研究では,GaN の極性光学フォノン散乱過程に対するICFE の影響を調べた.