[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19a-C302-1] GaN の極性光学フォノン散乱過程における散乱内電界効果

〇(M1)牧平 真太朗¹、森 伸也¹ (1.阪大院工)

キーワード：散乱内電界効果、GaN、極性光学フォノン散乱

SiC, GaN などの広い禁止帯(WBG) を持つ半導体では，絶縁破壊電界が数MV/cm と高く，パワーデバイス応用に向けて，Si に代わる半導体材料として注目されている．数MV/cm程度の印加電界のもとでは，散乱中に電子が加速される，散乱内電界効果(ICFE)が重要な役割を演じると予想される．本研究では，GaN の極性光学フォノン散乱過程に対するICFE の影響を調べた．