[19a-C302-1~12] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-C302-12] 有機金属気相成長法にて自立GaN基板上に成長させたGaNホモエピタキシャル層の光物性評価

〇小島 一信¹、堀切 文正²、成田 好伸²、吉田 丈洋²、秩父 重英¹ (1.東北大学 多元研、2.（株）サイオクス)

キーワード：GaN、内部量子効率