[19a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19a-C302-4] Slow decay of carrier recombination in GaN epilayers on GaN substrates

〇(M1)Takato Asada¹, Kenji Ito², Kazuyoshi Tomita², Tetsuo Narita², Tetsu Kachi³, Masashi Kato^1,3 (1.Nagoya Inst. of Tech., 2.Toyota Central R&D Labs., 3.Nagoya Univ.)

Keywords:GaN epilayers on GaN substrates, Carrier lifetime

我々は以前、GaN 基板上GaNホモエピ層のキャリアライフタイム測定を行い、減衰曲線の0.2 µsまでの速い減衰とそれ以降の遅い減衰を報告した。本研究ではキャリア再結合の遅い減衰に着目し、より広いタイムレンジで観測したキャリア再結合の温度依存性を報告する。確認された減衰成分について、温度依存性はトラップ準位からの放出に関連することが示唆された。