[19a-C302-1~12] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19a-C302-7] Change in electrical properties of Mg-ion implanted GaN by annealing (2)

〇(M1)Kei Uetake¹, Naoshige Yokota¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN, Mg ion implantation

一般にはMgイオン注入によるGaN中へのp形領域形成は非常に難しく、その原因・機構については明らかになっていない。欠陥準位が発生してキャリアを補償している可能性があるが、原因を探るにあたっては、結晶成長時に発生する準位と、イオン注入により発生する欠陥準位、アニールによって生じる準位とを分けて評価すべきである。本報告においては、結晶成長による欠陥の少ない自立基板上のGaNエピタキシャル成長層に低ドーズでMgイオン注入を行い、500℃という低い温度でのアニール前後の電気的特性を比較した結果を報告する。