[19a-D101-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[19a-D101-3] Development of the Passivation Layer for p-type CuI Thin Film Prepared by 2-step Method
-As a New Hole Selective Contact for the Silicon Heterojunction Solar Cells-

〇(M1)Min Cui¹, Kazuhiro Gotoh¹, Yasuyoshi Kurokawa¹, Noritaka Usami¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:CuI, hole selective contact, heterojunction

Si系太陽電池の新規ヘテロ接合型正孔選択輸送層としてp型ヨウ化銅（CuI）に注目し，Si基板上に真空蒸着したCuをヨウ素蒸気でヨウ化させる2段階作製法で製膜した高品質なCuIに適したパッシベーション層について調査した．CuI/Si界面にPEVCD法によるi-a-Si:H とi-a-SiO_x:Hのスタッキング膜を導入することで，一定のパッシベーション効果を得るとともに，i-a-Si:H層またはSi基板へのCu拡散を抑制し，CuI製膜後も少数キャリアライフタイムを維持することができた．