[19a-D101-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[19a-D101-3] 2段階作製法で製膜したp型CuI薄膜のパッシベーション層開発
－ヘテロ接合型Si系太陽電池の新規正孔選択輸送層として－

〇(M1)崔 敏¹、後藤 和泰¹、黒川 康良¹、宇佐美 徳隆¹ (1.名大院工)

キーワード：ヨウ化銅、正孔選択輸送層、ヘテロ接合

Si系太陽電池の新規ヘテロ接合型正孔選択輸送層としてp型ヨウ化銅（CuI）に注目し，Si基板上に真空蒸着したCuをヨウ素蒸気でヨウ化させる2段階作製法で製膜した高品質なCuIに適したパッシベーション層について調査した．CuI/Si界面にPEVCD法によるi-a-Si:H とi-a-SiO_x:Hのスタッキング膜を導入することで，一定のパッシベーション効果を得るとともに，i-a-Si:H層またはSi基板へのCu拡散を抑制し，CuI製膜後も少数キャリアライフタイムを維持することができた．