The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

16 Amorphous and Microcrystalline Materials » 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[19a-D101-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

Mon. Mar 19, 2018 9:15 AM - 11:45 AM D101 (56-101)

Shota Nunomura(AIST)

10:00 AM - 10:15 AM

[19a-D101-4] Study on Chemical Passivation of TiOx Passivating Layer/ Crystalline Si

Takeya Mochizuki1, Kazuhiro Gotoh1, Akio Ohta1,2, Shyohei Ogura3, Yasuyoshi Kurokawa1, Seiichi Miyazaki1, Katsuyuki Fukutani3, Noritaka Usami1 (1.Graduate School of Eng., Nagoya Univ., 2.Inst. for Advanced Research, Nagoya Univ., 3.Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo)

Keywords:passivation, TiOx, crystalline silicon

結晶Si系太陽電池において、TiOxは電子選択層として機能し、高いパッシベーション効果を示すので注目を浴びている。熱処理によってパッシベーション効果が向上することが知られているが、その根源的なメカニズムは解明されていない。我々はTiO​x/結晶Si界面の結合状態に着目した。算出したパッシベーション効果発現の活性化エネルギーの値を参考に、熱処理によるTiOx/結晶Si界面の結合状態の変化が重要であることを明らかにした。