[19a-D101-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

△ [19a-D101-4] Study on Chemical Passivation of TiO_x Passivating Layer/ Crystalline Si

〇Takeya Mochizuki¹, Kazuhiro Gotoh¹, Akio Ohta^1,2, Shyohei Ogura³, Yasuyoshi Kurokawa¹, Seiichi Miyazaki¹, Katsuyuki Fukutani³, Noritaka Usami¹ (1.Graduate School of Eng., Nagoya Univ., 2.Inst. for Advanced Research, Nagoya Univ., 3.Inst. of Industrial Sci., The Univ. of Tokyo)

Keywords:passivation, TiOx, crystalline silicon

結晶Si系太陽電池において、TiO_xは電子選択層として機能し、高いパッシベーション効果を示すので注目を浴びている。熱処理によってパッシベーション効果が向上することが知られているが、その根源的なメカニズムは解明されていない。我々はTiO_​x/結晶Si界面の結合状態に着目した。算出したパッシベーション効果発現の活性化エネルギーの値を参考に、熱処理によるTiO_x/結晶Si界面の結合状態の変化が重要であることを明らかにした。