2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[19a-D101-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

2018年3月19日(月) 09:15 〜 11:45 D101 (56-101)

布村 正太(産総研)

10:00 〜 10:15

[19a-D101-4] TiOx/結晶Si界面における化学パッシベーションの研究

望月 健矢1、後藤 和泰1、大田 晁生1,2、小倉 正平3、黒川 康良1、宮崎 誠一1、福谷 克之3、宇佐美 徳隆1 (1.名大院工、2.名大高等研究院、3.東大院工)

キーワード:パッシベーション、酸化チタン、結晶シリコン

結晶Si系太陽電池において、TiOxは電子選択層として機能し、高いパッシベーション効果を示すので注目を浴びている。熱処理によってパッシベーション効果が向上することが知られているが、その根源的なメカニズムは解明されていない。我々はTiO​x/結晶Si界面の結合状態に着目した。算出したパッシベーション効果発現の活性化エネルギーの値を参考に、熱処理によるTiOx/結晶Si界面の結合状態の変化が重要であることを明らかにした。