[19a-D101-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[19a-D101-7] 2段階製膜を用いたFTS法によるi-a-Si:Hパッシベーション膜

Faris Akira Bin Mohd Zulkifly¹、白取 優大¹、中田 和吉¹、〇宮島 晋介¹ (1.東工大工)

キーワード：シリコンヘテロ接合太陽電池、i-a-Si:Hパッシベーション膜、対向ターゲットスパッタ

対向ターゲットスパッタによるi-a-Si:Hパッシベーション膜の製膜に2段階製膜法を適用した．低パワー条件/高パワー条件の順で製膜を行った結果，6.9 nmのi-a-Si:Hによりパッシベーションされたn型結晶Siは，1 sunでのライフタイム 1.05 msおよびimplied Voc 0.699 Vを示した．また，製膜レートは14.8 nm/minであり比較的大きな値である．