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[19a-D101-9] 高温域でのa-Si:H成長速度増大に対するプロトンの関与
キーワード：アモルファスシリコン、プロトン、成長速度
両極性拡散により成長表面に飛来するプロトンが、高温域におけるa-Si:H成長速度の増大および活性化エネルギーの低下に関与している。今回、プロトンによって引き起こされる一連の表面反応過程の詳細について、DFT計算により明らかにした。その際、プロトンがSi-Si結合に挿入されて生じる正電荷を有する三中心結合の生成とその解離が重要であることが得られた。