[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19a-D103-1] Cr-Si溶媒を用いたSiCの溶液成長挙動に及ぼす炭素過飽和度の影響

〇永松 洋一郎¹、川西 咲子¹、柴田 浩幸¹、吉川 健² (1.東北大多元研、2.東大生研)

キーワード：結晶成長、SiC、半導体