[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19a-D103-10] マルチフィジックスシミュレーションに基づくSiCガス成長の研究

〇大島 亮祐¹、高村 昴²、川上 健人²、山本 芳裕²、長川 健太²、芳松 克則^2,3、岡本 直也²、牧野 英美⁴、細川 徳一⁴、恩田 正一³、寒川 義裕^5,3、柿本 浩一⁵、白石 賢二^2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来材料・システム研、4.DENSO CORP.、5.九大応力研)

キーワード：SiC高温ガス成長