[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19a-D103-7] 溶液法で作製したパワーデバイス用高品質4H-SiC単結晶基板

〇楠 一彦¹、関 和明¹、大黒 寛典²、斎藤 広明²、小林 勲生²、三原 啓司² (1.新日鉄住金、2.トヨタ自動車)

キーワード：溶液法、4H-SiC

最近、我々は、溶媒インクルージョンを含まないSiC バルク単結晶の溶液成長に成功した。そこで今回、2インチ径の溶液法4°オフ（0001）基板を作製し、当該基板上にCVD法でエピ成長を行った。得られたエピウエハーの結晶欠陥評価を行うとともに、溶液法結晶では世界で初めてウエハーレベルの素子（ショットキーダイオード）試作を実施した。