10:45 〜 11:00
[19a-D103-7] 溶液法で作製したパワーデバイス用高品質4H-SiC単結晶基板
キーワード:溶液法、4H-SiC
最近、我々は、溶媒インクルージョンを含まないSiC バルク単結晶の溶液成長に成功した。そこで今回、2インチ径の溶液法4°オフ(0001)基板を作製し、当該基板上にCVD法でエピ成長を行った。得られたエピウエハーの結晶欠陥評価を行うとともに、溶液法結晶では世界で初めてウエハーレベルの素子(ショットキーダイオード)試作を実施した。
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)
2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 D103 (56-103)
太子 敏則(信州大)
10:45 〜 11:00
キーワード:溶液法、4H-SiC