[19a-D103-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19a-D103-8] 放射光トポグラフィーによる溶液法ウエハ上へのエピ成長過程における転位伝播挙動の評価

〇関 和明¹、楠 一彦¹、原田 俊太²、宇治原 徹² (1.新日鐵住金、2.名大院工)

キーワード：SiC、溶液成長

これまで我々は、溶液成長法によって基底面転位(Basal Plane Dislocation: BPD)を含まず、TSD(Threading Screw Dislocation: TSD)密度が極めて低い超高品質4H-SiC 4°オフウエハを作製してきた。今回は、パワーデバイスにおいて重要なプロセスである、溶液法オフウエハ上へのCVDエピタキシャル成長過程におけるBPDおよびTSDの伝播挙動について報告する。