[19a-D103-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[19a-D103-9] Prediction of vapor phase reactions and surface reconstruction structures in the CVD process of SiC

〇Kenta Chokawa¹, Yoshihiro Kangawa^2,4, Emi Makino³, Norikazu Hosokawa³, Shoichi Onda⁴, Kenji Shiraishi^4,1 (1.Graduate School of Engineering, Nagoya Univ., 2.Kyushu Univ., 3.DENSO CORP., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:SiC, CVD, Surface reconstruction

2200～2500℃の高温で成長するガス成長法(HTCVD)は、理論計算による気相反応や表面反応の予測などはあまりなされていない。また気相成長時の表面構造についての議論も十分ではない。そのため本研究では第一原理計算を用いて、SiCのガス成長における気相反応の解明、および表面再構成構造の決定を行う。