[19a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E202-5] p型GaNコンタクト層に形成した高反射型フォトニック結晶によるAlGaN深紫外LEDの外部量子効率改善

〇鹿嶋 行雄^1,3、渡邊 康弘²、柴田 智彦²、前田 哲利¹、松浦 恵里子^1,3、岩井 武⁴、小久保 光典⁵、田代 貴晴⁵、古田 寛治⁶、上村 隆一郎⁶、長田 大和⁶、高木 秀樹⁷、倉島 優一⁷、祝迫 恭⁸、長野 丞益⁹、平山 秀樹¹ (1.理研、2.DOWAエレクトロニクス、3.丸文、4.東京応化工業、5.東芝機械、6.アルバック、7.産総研、8.日本タングステン、9.大日本印刷)

キーワード：深紫外LED、高反射型フォトニック結晶、p型GaNコンタクト層

2インチサファイア基板(0001)面に深紫外LEDを結晶成長後、最表面のp型GaNコンタクト層に、周期、直径、深さが其々278nm、190nm、135nmの高反射型フォトニック結晶をナノインプリント及びICPドライエッチングでダメージレスに作成した。p型GaNコンタクト層における深紫外光の吸収が抑制されたために、外部量子効率は波長274nmにおいて2.3%から3.7%に1.6倍増加した。