[19a-F310-1~8] 13.9 化合物太陽電池

△ [19a-F310-4] 希釈窒化物半導体GaInNAsSb中の深準位欠陥の解析と制御

〇何 軼倫¹、宮下 直也²、岡田 至崇^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード：希釈窒化物半導体、深準位欠陥、アニール

本研究では、希釈窒化物半導体GaInNAsSb中深準位欠陥の解析により、ポストアニールが少数キャリア収集特性を改善するメカニズムを解明し、アニール温度の最適化によって欠陥制御を行った。窒素に起因した欠陥の低減と高温アニールによるヒ素欠損に起因した欠陥の抑制がキャリア収集特性の改善に重要であり、750^oCのアニール温度が最適であることが分かった。深準位欠陥の制御により、GaInNAsSb太陽電池に顕著な改善が得られた。