[19a-F310-1~8] 13.9 Compound solar cells

[19a-F310-5] Highly efficient InGaP/GaAs dual-junction solar cells grown by MBE

〇(M2)Yuki Nagato^1,2, Ryuji Oshima², Takeyoshi Sugaya², Yoshinobu Okano¹ (1.TCU, 2.AIST)

Keywords:MBE, InGaP, solar cells

MBE法を用いたGaAs微傾斜基板上InGaP/GaAs 2接合セルの高効率化を目的としたInGaP太陽電池の成長条件の検討を行った。InGaP 結晶は，従来の480 °C, 1.0 mm/hから510 °C, 1.5 mm/hの高温，高速条件で成長することによって自然超格子形成が抑制できる．2条件で作製した2接合セルの特性を比較したところ，高温，高速条件によってGaAsセルとの電流不整合が改善し，V_OCが0.1 V向上することにより変換効率が26.5%から27.4%に向上した．