[19a-G203-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[19a-G203-3] シリコントンネルトランジスタのスピン量子ビット応用

〇森 貴洋¹、森山 悟士²、松川 貴¹、安田 哲二¹、大野 圭司³ (1.産総研、2.物材機構、3.理研)

キーワード：トンネルトランジスタ、量子ビット

産総研がこれまでに開発してきたチャネル中に不純物準位を持つ等電子トラップ援用トンネルトランジスタ(IET-TFET)をスピン量子ビットとして応用、5Kでの量子ビット動作の実験実証に成功したのでこれを報告する。TFETの量子ビット応用は世界初であり、また電子素子型スピン量子ビットの動作温度としては世界最高温度を達成したものである。