[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-6] Field effect transistor application of hafnium dichalcogenides

〇(M2)Nobuyuki Shinkura¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:hafnium disulfide, transition metal dichalcogenides, field effect transistor

本研究では，二硫化ハフニウムを用いてボトムゲートFET素子を作製し，動作特性の測定を行った。またゲート絶縁膜表面へのPMMAバッファー層の導入による動作特性の改善も試みた。作製したFETはn型動作を示した。SiO₂基板上に作製したFETの飽和移動度は1.59×10^－2 cm²/Vs，基板上にPMMA膜を成膜して作製したFETの飽和移動度は5.76×10^－2 cm²/VsとなりPMMAバッファー層の導入によるFET性能の向上が確認された。