[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-6] ハフニウムダイカルコゲナイドの電界効果トランジスタ応用

〇(M2)新倉 伸幸¹、上野 啓司¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：二硫化ハフニウム、遷移金属ダイカルコゲナイド、電界効果トランジスタ

本研究では，二硫化ハフニウムを用いてボトムゲートFET素子を作製し，動作特性の測定を行った。またゲート絶縁膜表面へのPMMAバッファー層の導入による動作特性の改善も試みた。作製したFETはn型動作を示した。SiO₂基板上に作製したFETの飽和移動度は1.59×10^－2 cm²/Vs，基板上にPMMA膜を成膜して作製したFETの飽和移動度は5.76×10^－2 cm²/VsとなりPMMAバッファー層の導入によるFET性能の向上が確認された。