[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-61] Controlling the Schottky barrier height in metal/graphene/p-SiC junctions

〇Takeshi Fujii¹ (1.Fuji Electric)

Keywords:Shottky junction, Graphene, Intercalation

ショットキー特性を示す金属/グラフェン/p-SiC接合において、グラフェン/p-SiC界面にPtをインターカレーションすることで界面の電荷バランスが変調され、ショットキー障壁の高さを減少させることに成功した。以上より、グラフェン/SiCのショットキー接合にて原子レベルの界面制御によりショットキー障壁の高さを制御できることを示している。