[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-61] 金属/グラフェン/p-SiC接合のPtインターカレーションによるショットキー障壁高さ制御

〇藤井 健志¹ (1.富士電機)

キーワード：ショットキー接合、グラフェン、インターカレーション

ショットキー特性を示す金属/グラフェン/p-SiC接合において、グラフェン/p-SiC界面にPtをインターカレーションすることで界面の電荷バランスが変調され、ショットキー障壁の高さを減少させることに成功した。以上より、グラフェン/SiCのショットキー接合にて原子レベルの界面制御によりショットキー障壁の高さを制御できることを示している。