[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-69] 高周波スパッタ法によるMoS₂薄膜の作製と硫化処理の効果

〇関 健太¹、内藤 祐斗¹、蓮池 紀幸¹、鴨井 督²、木曽田 賢治³ (1.京工繊大、2.京都府中小企業技術センター、3.和歌山大)

キーワード：二硫化モリブデン

半導体業界において微細化を進めるにあたり、二次元材料のMoS₂が注目を集めている。二次元材料のMoS₂は単層になると直接遷移型になるが、単層MoS₂を大面積に作製できる手法は確立されていない。本研究では、大面積な薄膜作製が可能な高周波スパッタリング法を用いたMoS₂薄膜の最適な成膜条件と後処理条件の検討を行った。