[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-70] Low-temperature synthesis of Hf based transition metal dichalcogenides by metal source

〇Noriyuki Urakami^1,2, Takuma Ozawa¹, Yoshio Hashimoto^1,2, Mauricio Mauricio^3,2 (1.Shinshu University, 2.Inst. of Carbon Sci. and Tech, 3.Penn State Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenides

Hf系遷移金属ダイカルコゲナイド(HfS₂またはHfSe₂)はキャリア移動度の高い層状半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。近年では四塩化ハフニウム(HfCl₄)を前駆体とした化学気相堆積(CVD)法によるHfS₂の合成も報告されている。しかしHfCl₄前駆体の純度が低いことや合成温度が高いことから、高純度かつ低温合成可能な技術が必要である。本研究では高純度金属HfとTeの共晶によるHfS₂の合成を実現するための基礎検討を行った。