[19a-P6-1~79] 17 ナノカーボン（ポスター）

[19a-P6-70] 金属原料を用いたHf系遷移金属ダイカルコゲナイドの低温合成

〇浦上 法之^1,2、小澤 拓真¹、橋本 佳男^1,2、Mauricio Terroness^3,2 (1.信州大学、2.信大カーボン研、3.ペンシルベニア州立大学)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド

Hf系遷移金属ダイカルコゲナイド(HfS₂またはHfSe₂)はキャリア移動度の高い層状半導体であり、低消費電力電子素子材料として期待されている。近年では四塩化ハフニウム(HfCl₄)を前駆体とした化学気相堆積(CVD)法によるHfS₂の合成も報告されている。しかしHfCl₄前駆体の純度が低いことや合成温度が高いことから、高純度かつ低温合成可能な技術が必要である。本研究では高純度金属HfとTeの共晶によるHfS₂の合成を実現するための基礎検討を行った。