[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-77] Temperature dependence of SS in monolayer MoS₂/h-BN/Graphite hetero-FET

〇Satoshi Toyoda¹, Takashi Tanighchi², Kenji Watanabe³, Kousuke Nagashio^1,3 (1.UTokyo, 2.NIMS, 3.PRESTO-JST)

Keywords:MoS2, heterostructure, subthreshold swing

Ni/Au電極のMoS₂/h-BN/Graphiteデバイスを作製し，電気特性を測ったところ，80 mV/decという特性が得られた．