[19p-A404-1~19] 3.7 レーザープロセシング

△ [19p-A404-7] パルスレーザー堆積法による低誘電率ナノポーラスSiO₂膜の形成

〇(B)宮野 亮太¹、菊地 俊文^1,2、妹川 要^1,2、中村 大輔¹、池上 浩^1,2 (1.九大シス情、2.九大ｷﾞｶﾞﾌｫﾄﾝ共同部門)

キーワード：パルスレーザー蒸着法、低誘電率絶縁膜、ナノポーラスSiO2

次世代のULSIでは，比誘電率が2以下の低誘電率膜が必要とされる．しかし，現在実際に使われている比誘電率2以下の低誘電率膜は存在していない．低誘電率膜を作ることのできる可能性としてはポーラス膜とエアギャップを用いる方法があると我々は考えている．
我々は，低誘電率膜を作るために，パルスレーザー堆積(PLD)法を使用し，実験を行った．製膜した低誘電率膜の電気特性とSiO₂のナノポーラス構造について，発表します，