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△ [19p-A404-7] パルスレーザー堆積法による低誘電率ナノポーラスSiO2膜の形成
キーワード:パルスレーザー蒸着法、低誘電率絶縁膜、ナノポーラスSiO2
次世代のULSIでは,比誘電率が2以下の低誘電率膜が必要とされる.しかし,現在実際に使われている比誘電率2以下の低誘電率膜は存在していない.低誘電率膜を作ることのできる可能性としてはポーラス膜とエアギャップを用いる方法があると我々は考えている.
我々は,低誘電率膜を作るために,パルスレーザー堆積(PLD)法を使用し,実験を行った.製膜した低誘電率膜の電気特性とSiO2のナノポーラス構造について,発表します,
我々は,低誘電率膜を作るために,パルスレーザー堆積(PLD)法を使用し,実験を行った.製膜した低誘電率膜の電気特性とSiO2のナノポーラス構造について,発表します,