2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.7 レーザープロセシング

[19p-A404-1~19] 3.7 レーザープロセシング

2018年3月19日(月) 13:15 〜 18:45 A404 (54-404)

吉田 岳人(阿南高専)、寺川 光洋(慶大)

15:15 〜 15:30

[19p-A404-7] パルスレーザー堆積法による低誘電率ナノポーラスSiO2膜の形成

〇(B)宮野 亮太1、菊地 俊文1,2、妹川 要1,2、中村 大輔1、池上 浩1,2 (1.九大シス情、2.九大ギガフォトン共同部門)

キーワード:パルスレーザー蒸着法、低誘電率絶縁膜、ナノポーラスSiO2

次世代のULSIでは,比誘電率が2以下の低誘電率膜が必要とされる.しかし,現在実際に使われている比誘電率2以下の低誘電率膜は存在していない.低誘電率膜を作ることのできる可能性としてはポーラス膜とエアギャップを用いる方法があると我々は考えている.
我々は,低誘電率膜を作るために,パルスレーザー堆積(PLD)法を使用し,実験を行った.製膜した低誘電率膜の電気特性とSiO2のナノポーラス構造について,発表します,