[19p-B303-1~18] 11.4 アナログ応用および関連技術

[19p-B303-5] 高品質Nb 薄膜を用いたMKIDの共振特性

〇野口 卓¹、Dominjon Agnes¹、Kroug Matthias¹ (1.国立天文台)

キーワード：超伝導体、マイクロ波共振器、力学インダクタンス

DCスパッタリングによって800℃に加熱したサファイア基板上に形成したNb薄膜は、T_c=9.4 K、RRR=40~80、ρ=15.8 μΩcmという高品質特性を示した。このNb薄膜を用いて超伝導共振器を作成し、10⁶を超える内部Q値を得た。