[19p-B303-1~18] 11.4 Analog applications and their related technologies

[19p-B303-6] Evaluating crystallinity of NbN/AlN/NbN films deposited by atomic layer deposition

〇Masahiro Ukibe¹, Fujii Go¹, Shiki Shigetomo¹, Ohkubo Masataka¹ (1.AIST)

Keywords:STJ detector, NbN/AlN/NbN, Mass spectroscopy

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ（NbN-STJ）アレイ粒子検出器の開発を進めている。これまで膜厚50nmのNbN膜で13Kという、スパッタ法で成膜したNbN膜と同程度、ALD製の膜としてはこれまでで最高のT_Cを得る事に成功した。一般的に超伝導薄膜は、膜厚を厚くする事によりTcが上昇する、そこで、16K 以上のTcを実現するためNbNの膜厚を100 nmとしたNbN/AlN/NbN多層膜をALDで成膜、その結晶性及びTcを評価した。