[19p-C103-1~8] 先端3Ｄ原子イメージングが拓く新しい材料・デバイス技術

[19p-C103-6] 光電子回折によるSiO₂/SiC界面の窒素の局所構造解析

〇森 大輔^1,2、松井 文彦² (1.富士電機、2.奈良先端大)

キーワード：半導体、SiC、界面