[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-C104-1] エピタキシャルHfO₂基強誘電体における強誘電特性の膜厚依存性

〇(D)三村 和仙¹、清水 荘雄¹、勝矢 良雄²、坂田 修身²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.NIMS)

キーワード：強誘電体、HfO2

HfO₂基強誘電体では膜厚の低下に伴い、P_rは増大し、E_cは大きく変化しないことが報告されている。しかし、これまでのHfO₂基強誘電体の多くは配向の揃っていない多結晶膜であり、強誘電性は配向や常誘電相と強誘電相の体積分率により変化するため、純粋な強誘電相の薄膜の膜厚依存性とは異なる可能性がある。本研究では配向制御した強誘電相単相のHfO₂基強誘電体を用いて、強誘電特性の膜厚依存性について詳細な研究を行ったので報告する。