[19p-C104-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-C104-18] Crystal growth of ε-Ga₂O₃ thin films by mist chemical vapor deposition and evaluation of their electrical characteristics

〇Daisuke Tahara¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Minoru Noda¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Ferroelectric, meta-stable phase

主にパワーデバイス応用分野で注目されている酸化ガリウム(Ga₂O₃ )は結晶多形であり、α, β, γ, δ, ε相が知られている。本研究では、GaNやAlNなどと同じ六方晶系の結晶構造を有する準安定相ε-Ga₂O₃ に注目している。2013年にc軸反転対称性の欠如した結晶構造を有することが明らかになったこの新材料について、我々はミストCVD法による結晶成長を試み、その結晶学的・電気的特性について評価した。