[19p-C104-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-C104-19] Effect of the chemical composition on the electrical and magnetic properties of YbFe₂O₄ thin films

〇Jyunpei Tanaka¹, Kohei Miura¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atsushi Ashida¹, Norihumi Fujimura¹ (1.Osaka pref. univ.)

Keywords:RFe2O4, charge order, strong correlated material

RFe₂O₄(R:希土類元素)は、結晶内に同数のFe²⁺とFe³⁺が三角格子状に存在しているため電荷のフラストレーションが生じ、電子密度に極性を有する電荷秩序構造が形成する電子強誘電体である 。我々はこれまでにパルスレーザー堆積(PLD)法を用いてYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の作製に成功し、その電気的特性を報告してきた。それらをエネルギー分散型X線分析によって組成分析した結果、エピタキシャル薄膜であるにもかかわらずFe/Yb＝1.2~1.8とFe欠損状態であった。本研究では、YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜において、Fe/Yb組成の変化が電気的、磁気的特性に与える影響について報告する