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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2018年3月19日(月) 13:15 〜 18:30 C104 (52-104)

山田智明(名大)、平永良臣(東北大)、三村憲一(産総研)

13:45 〜 14:00

[19p-C104-3] (001)Si基板上HfO₂系エピタキシャル薄膜の構造制御に向けた成長過程の観察

〇鎌田大輝¹、高田賢志¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工院)

キーワード：HfO2