[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

[19p-C202-16] 基板バイアス構造を用いたキャリア注入制御とWSe₂ FETの作製

〇川那子 高暢¹、高木 寛之¹、居駒 遼¹、大場 智明¹ (1.東京工業大学)

キーワード：二セレン化タングステン、電界効果トランジスタ、基板バイアス構造