[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

[19p-C202-2] [講演奨励賞受賞記念講演] 遷移金属ダイカルコゲナイドにおける励起子ホール効果

〇恩河 大¹、張 奕勁^2,3、井手上 敏也¹、岩佐 義宏^1,4 (1.東大物工、2.阪大産研、3.Max-Plank Inst.、4.理研CEMS)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、励起子、バレートロニクス

単層の遷移金属ダイカルコゲナイドは直接遷移型の半導体であり、特にその安定な励起子状態の研究が盛んである。我々は励起子の拡散輸送を目的として発光マッピング測定を行った。本系の励起子状態がバレー自由度と結合していることを用いて、μmスケールのバレー輸送を観測した。またその軌跡を見るとゼロ磁場下でホール効果が起こっていることが判った。これはベリー曲率由来の励起子ホール効果が起こっていることを示している。