[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

△ [19p-C202-3] MoTe₂の2H半導体相に対する接触特性の走査ゲート顕微法を用いた評価

〇(B)坂梨 昂平¹、神谷 航太¹、大内 秀益¹、山中 智貴¹、宮本 克彦¹、尾松 孝茂¹、ジョナサン P.バード²、青木 伸之¹ (1.千葉大工、2.バッファロー大)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、結晶多型、走査型ゲート顕微鏡

遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであるMoTe₂において、高強度レーザー照射によって誘起された半導体相から金属相への構造変化を利用し、単一結晶内での面内半導体-金属接合を実現した。伝導特性よりショットキーバリアの形成が示されたが、走査ゲート顕微法を用いた結果、バリアの形成場所は金属電極(Pd)/2Hの界面であり、レーザーによって形成された金属相との界面にはどのキャリアの極性、注入の方向に対してもバリアレスであった。