The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

Presentation information

Oral presentation

17 Nanocarbon Technology » 17.3 Layered materials

[19p-C202-1~17] 17.3 Layered materials

Mon. Mar 19, 2018 1:45 PM - 6:30 PM C202 (52-202)

Akinobu Kanda(Univ. of Tsukuba), Yasuhide Ohno(Tokushima univ)

4:00 PM - 4:15 PM

[19p-C202-9] High-resolution ARPES of NbSe2 atomic-layer thin films

Katsuaki Sugawara1, Yuki Nakata2, Ryota Shimizu3, Patric Han1, Taro Hitosugi3, Keiji Ueno4, Takafumi Sato2, Takashi Takahashi2,1 (1.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 2.Dept. Phys., Tohoku Univ., 3.Dept. Appl. Chem., Tokyo Tech., 4.Dept. Chem., Saitama Univ.)

Keywords:electronic state, photoemission spectroscopy, transition-metal dichalcogenides

遷移金属ダイカルコゲナイドNbSe_2_の原子層化に伴う電子状態の変化を明らかにすることを目的として、分子線エピタキシー法を用いて2層グラフェン上に単層NbSe_2_薄膜を作成し、その電子状態を高分解能ARPESにより測定した。その結果、単層NbSe_2_において、バルク2H構造とは異なる特異な電子状態を観測した。講演では、バンド計算との比較から、特異な電子状態の起源について議論する。