[19p-C202-1~17] 17.3 Layered materials

[19p-C202-9] High-resolution ARPES of NbSe₂ atomic-layer thin films

〇Katsuaki Sugawara¹, Yuki Nakata², Ryota Shimizu³, Patric Han¹, Taro Hitosugi³, Keiji Ueno⁴, Takafumi Sato², Takashi Takahashi^2,1 (1.WPI-AIMR, Tohoku Univ., 2.Dept. Phys., Tohoku Univ., 3.Dept. Appl. Chem., Tokyo Tech., 4.Dept. Chem., Saitama Univ.)

Keywords:electronic state, photoemission spectroscopy, transition-metal dichalcogenides

遷移金属ダイカルコゲナイドNbSe_2_の原子層化に伴う電子状態の変化を明らかにすることを目的として、分子線エピタキシー法を用いて２層グラフェン上に単層NbSe_2_薄膜を作成し、その電子状態を高分解能ARPESにより測定した。その結果、単層NbSe_2_において、バルク2H構造とは異なる特異な電子状態を観測した。講演では、バンド計算との比較から、特異な電子状態の起源について議論する。