[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[19p-C204-17] 反応生成物分布調節によるウエハ面内のエッチング性能分布制御性向上

〇川那辺 哲雄¹、森 功¹、田中 基裕¹、安井 尚輝¹ (1.日立ＨＴ)

キーワード：エッチング、ガス流れ、プラズマ

半導体デバイス製造工程ではマルチパターニング技術導入などにより製造工程数が増加傾向にあり，デバイス収率の維持及び改善のためには各工程における歩留まり改善が必須である。エッチング装置においては，加工寸法のウエハ面内分布を高精度で制御するノブが求められる。本報告では，制御ノブの一つとして開発したマルチガス導入機能を用いてウエハからの反応生成物の分布調節について検証した結果を報告する。