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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 C204 (52-204)

林久貴(東芝)、木原嘉英(東京エレクトロン宮城)

14:15 〜 14:30

[19p-C204-3] ヘキサフルオロアセチルアセトン吸着表面金属（Ni.Cu)におけるエッチング反応

〇伊藤智子¹、唐橋一浩¹、浜口智志¹ (1.阪大院工)

キーワード：アトミックレイヤーエッチング、磁性材料