The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[19p-C204-1~17] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Mon. Mar 19, 2018 1:45 PM - 6:15 PM C204 (52-204)

Hisataka Hayashi(TOSHIBA), Yoshihide Kihara(Tokyo Electron Miyagi Limited)

2:00 PM - 2:15 PM

[19p-C204-2] High Aspect Ratio Silicon Nanopillar Structure Fabricated by Neutral Beam Etching and Bio-template

Daisuke Ohori1, Kazuhiko Endo1,3, Seiji Samukawa1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.AIST)

Keywords:Nanopillar, Neutral beam etching

IV族ナノワイヤ(NWs)やナノピラー(NPs)構造は、高速トランジスタ設計や熱電変換材料のナノ構造の応用へ期待されている。トップダウン加工技術を用いた NPs作製において、小さな直径における高いアスペクト比を実現することは、マスク技術および高精度なエッチング技術が必要となる。そこで本研究では、高さ100 nmを超えるSi NPs構造を作製し、そのアスペクト比依存性について議論することを目的とする。