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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 C204 (52-204)

林久貴(東芝)、木原嘉英(東京エレクトロン宮城)

15:00 〜 15:15

[19p-C204-6] アルゴンイオン照射によるフッ素化Si(111)表面の形態変化

浅野敦紀¹、〇堤隆嘉¹、近藤博基¹、石川健治¹、関根誠¹、堀勝¹ (1.名大)

キーワード：原子層エッチング、走査型顕微鏡、シリコン