2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 C204 (52-204)

林 久貴(東芝)、木原 嘉英(東京エレクトロン宮城)

15:30 〜 15:45

[19p-C204-8] C2HxFy化合物の電子物性と解離(I)

林 俊雄1、石川 健治1、関根 誠1、堀 勝1 (1.名大プラズマナノ工学研)

キーワード:SiNx エッチング、水素化フロロエタン、計算化学

RIEによる窒化膜のエッチングにCH2F2が主に用いられている。しかし、CHxFyを生成する化合物は他にも多く存在する。ここでは、C2H5FおよびCH3CHF2について、計算化学を用いてその電子物性と解離について調べたので報告する。CH2FCH2FおよびCH3CHF2については次の講演で報告する。