[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-12] スパッタリング法によるSiN膜をゲート絶縁膜とするノーマリーオフAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気的特性評価

〇蒲池 渉¹、ジョエル アスバル¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：SiN、MIS-HEMT、AlGaN/GaN HEMT