[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-13] p⁺-Siをゲート電極とする高耐熱AlGaN/GaN HEMTの作製

〇鴻野 駿一¹、梁 剣波¹、重川 直輝¹ (1.大阪市立大工)

キーワード：表面活性化接合、GaN、HEMT