[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-18] 立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減

〇濱田 拓也¹、黒岩 宏紀¹、高橋 言緒²、井手 利英²、清水 三聡²、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東京工業大学、2.産業技術総合研究所)

キーワード：選択成長、GaN FinFET、貫通転位低減

GaN系半導体では，選択成長を用いたELO技術によってヘテロ成長由来の転位の低減が報告されている。この選択成長GaNを立体チャネルトランジスタに応用できれば，結晶性の改善に基づく性能の向上が期待される。今回，GaN/Sapphire基板上にストライプパターンのSiNをマスクとして選択成長させたGaNの立体構造を断面TEM観察した。その結果，開口幅100nmのマスクにおいて基板からの貫通転位の侵入が妨げられ，選択成長層部での転位の低減が確認された。